Datasheet下载- 型号： SI7302DN-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7302DN-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7302DN-T1-GE3价格参考。VishaySI7302DN-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI7302DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7302DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI7302DN-T1-GE3是一款N沟道MOSFET晶体管，广泛应用于多种电子电路中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：用于开关电源中的功率级，提供高效的电压转换。 - 负载开关：控制电路中不同负载的通断，实现低导通电阻和快速切换。 - 电池管理：在电池充电或放电过程中，用作保护开关以防止过流、短路或反向电流。 2. 电机驱动 - 适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，提供高效开关功能。 - 在H桥或半桥驱动电路中，作为功率开关使用。 3. 消费电子产品 - 便携式设备：如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等，用于电源管理和信号切换。 - 音频放大器：在音频电路中用作功率开关或保护元件。 4. 通信设备 - 网络设备：如路由器、交换机等，用于电源分配和信号隔离。 - 基站：在基站电源模块中作为高效开关元件。 5. 工业应用 - 工业自动化：用于控制继电器、传感器或其他工业设备的供电。 - LED驱动：在大功率LED照明系统中，用作开关元件以调节电流。 6. 汽车电子 - 车载电子设备：如导航系统、娱乐系统等，用于电源管理和信号切换。 - 电动车辆：在电池管理系统（BMS）中，用于保护电池组免受过流或短路损害。 特性优势 - 低导通电阻（Rds(on)）：降低功耗，提高效率。 - 高开关速度：适合高频应用，减少能量损耗。 - 小封装尺寸：节省PCB空间，适合紧凑型设计。 - 优异的热性能：能够在高温环境下稳定工作。 综上所述，SI7302DN-T1-GE3凭借其高性能和可靠性，成为各种电源管理和功率控制应用的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI7302DN-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 645pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 320 毫欧 @ 2.3A，10V |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 功率-最大值 | 52W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 220V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.4A （Tc） |
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