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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN5L06TK-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN5L06TK-7价格参考。Diodes Inc.DMN5L06TK-7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DMN5L06TK-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMN5L06TK-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMN5L06TK-7是一款P沟道增强型MOSFET,常用于电源管理和负载开关等低电压、中等电流的应用场景。其主要应用场景包括: 1. 电池供电设备:如智能手机、平板电脑和便携式电子设备中的电源管理电路,适用于需要高效能和小尺寸封装的设计。 2. DC-DC转换器:在同步整流电路中作为高边或低边开关,提升转换效率,降低功耗。 3. 负载开关:用于控制电源到不同子系统的分配,如硬盘驱动器、风扇、显示屏背光等外设的电源开关。 4. 电机驱动与继电器替代:在小型电机控制或固态继电器应用中,提供快速开关和低导通电阻。 5. 工业自动化设备:用于PLC模块、传感器供电控制及嵌入式系统中,满足对可靠性和空间限制的要求。 该器件采用SOT-26封装,具有较小的占板面积,适合高密度布局。其60V耐压和较低的导通电阻(Rds(on))使其在多种低压直流应用中具备良好的性能与效率表现。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523MOSFET .15W 50V .28A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 280 mA |
| Id-连续漏极电流 | 280 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN5L06TK-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMN5L06TK-7 |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 150 mW |
| Pd-功率耗散 | 150 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2000 mOhms at 5 V |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 50 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 50 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2 欧姆 @ 50mA,5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-523 |
| 其它名称 | DMN5L06TK7 |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-523 |
| 封装/箱体 | SOT-523-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 280mA (Ta) |
| 系列 | DMN5L06 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |