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  • 型号: DMN5L06TK-7
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DMN5L06TK-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN5L06TK-7价格参考。Diodes Inc.DMN5L06TK-7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DMN5L06TK-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMN5L06TK-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Diodes Incorporated的DMN5L06TK-7是一款P沟道增强型MOSFET,常用于电源管理和负载开关等低电压、中等电流的应用场景。其主要应用场景包括:

1. 电池供电设备:如智能手机、平板电脑和便携式电子设备中的电源管理电路,适用于需要高效能和小尺寸封装的设计。

2. DC-DC转换器:在同步整流电路中作为高边或低边开关,提升转换效率,降低功耗。

3. 负载开关:用于控制电源到不同子系统的分配,如硬盘驱动器、风扇、显示屏背光等外设的电源开关。

4. 电机驱动与继电器替代:在小型电机控制或固态继电器应用中,提供快速开关和低导通电阻。

5. 工业自动化设备:用于PLC模块、传感器供电控制及嵌入式系统中,满足对可靠性和空间限制的要求。

该器件采用SOT-26封装,具有较小的占板面积,适合高密度布局。其60V耐压和较低的导通电阻(Rds(on))使其在多种低压直流应用中具备良好的性能与效率表现。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523MOSFET .15W 50V .28A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

280 mA

Id-连续漏极电流

280 mA

品牌

Diodes Incorporated

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN5L06TK-7-

数据手册

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产品型号

DMN5L06TK-7

PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

150 mW

Pd-功率耗散

150 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

2000 mOhms at 5 V

RdsOn-漏源导通电阻

2 Ohms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

50 V

Vds-漏源极击穿电压

50 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

50pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2 欧姆 @ 50mA,5V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-523

其它名称

DMN5L06TK7
DMN5L06TKDITR

功率-最大值

150mW

包装

带卷 (TR)

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-523

封装/箱体

SOT-523-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

50V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

280mA (Ta)

系列

DMN5L06

通道模式

Enhancement

配置

Single

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