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Datasheet下载- 型号： FDP8880
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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FDP8880产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDP8880由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP8880价格参考。Fairchild SemiconductorFDP8880封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 30V 11A（Ta），54A（Tc） 55W（Tc） TO-220-3。您可以下载FDP8880参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDP8880 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的FDP8880是一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于需要高效开关和功率管理的场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理： FDP8880适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电压调节模块（VRM）。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功率损耗，提高效率。 2. 电机驱动： 在小型电机控制中，FDP8880可用于驱动直流无刷电机（BLDC）或步进电机，提供高效的开关性能以实现精确的速度和方向控制。 3. 负载切换： 该MOSFET可用作负载开关，用于笔记本电脑、平板电脑和其他便携式电子设备中的动态电源分配，确保快速响应和低功耗。 4. 电池保护与管理： 在电池管理系统（BMS）中，FDP8880可作为充电/放电路径的开关元件，保护电池免受过流、过压或短路的影响。 5. 通信设备： 在基站、路由器等通信设备中，FDP8880可用于信号放大器的偏置控制及功率级开关，支持高频率和高效率运行。 6. 工业自动化： 该器件适用于工业控制系统中的继电器替代方案，例如PLC（可编程逻辑控制器）输出模块，提供更长寿命和更高可靠性。 7. 汽车电子： 虽然FDP8880并非专为车规设计，但在非关键性车载应用中（如照明控制、辅助电路），它也能发挥作用。 总之，FDP8880凭借其优异的电气特性和紧凑封装形式，在消费电子、通信、工业以及部分汽车领域均有广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 54A TO-220ABMOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 54 A |
| Id-连续漏极电流 | 54 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP8880PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDP8880 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 55 W |
| Pd-功率耗散 | 55 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 11.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 11.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 107 ns |
| 下降时间 | 51 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1240pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11.6 毫欧 @ 40A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | FDP8880-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 47 ns |
| 功率-最大值 | 55W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11A （Ta）， 54A （Tc） |
| 系列 | FDP8880 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FDP8880_NL |
