Datasheet下载- 型号： STP9NK60ZD
- 制造商： STMicroelectronics
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STP9NK60ZD由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP9NK60ZD价格参考。STMicroelectronicsSTP9NK60ZD封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STP9NK60ZD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP9NK60ZD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STP9NK60ZD是一款高压超级结MOSFET，属于晶体管中的增强型N沟道功率MOSFET。其耐压高达600V，导通电阻低，具备优良的开关性能和耐雪崩能力，特别适用于高效率、高电压的电源转换应用。 该器件广泛应用于开关电源（SMPS），如AC-DC适配器、充电器和电源模块；在照明领域，常用于电子镇流器和LED驱动电源；还可用于待机电源、辅助电源及低功耗电源设计中。此外，STP9NK60ZD内置快速恢复二极管（软恢复特性），有效减少反向恢复损耗和电磁干扰（EMI），因此在需要高效整流与低噪声的场合表现优异。 典型应用场景包括：家用电器电源（如电视、空调）、工业控制电源、电表、智能插座等嵌入式电力系统。其高可靠性和良好的热稳定性也使其适用于环境较严苛的工业设备中。由于采用TO-220或类似封装，便于散热安装，适合通孔焊接，广泛用于中小功率电源设计。 总之，STP9NK60ZD凭借其高耐压、低损耗和集成续流二极管的优势，在节能型电源产品中具有重要应用价值。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 7A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STP9NK60ZD |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | SuperFREDmesh™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1110pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 53nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 950 毫欧 @ 3.5A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 497-4387-5 |
| 功率-最大值 | 125W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7A （Tc） |
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