Datasheet下载- 型号： FDP032N08
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDP032N08由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP032N08价格参考。Fairchild SemiconductorFDP032N08封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDP032N08参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDP032N08 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDP032N08 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于晶体管 - FET/MOSFET - 单类别的产品。其应用场景广泛，主要适用于需要高效开关和低导通电阻的电力电子设计。以下是该型号的主要应用场景： 1. 开关电源 (SMPS)： FDP032N08 适合用于开关电源中的高频开关应用，如 DC-DC 转换器、反激式转换器和正激式转换器。其低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关特性有助于提高效率并减少能量损耗。 2. 电机驱动： 在小型电机控制中，FDP032N08 可用作功率级开关，支持高效的 PWM 控制。例如，它可以应用于家用电器（如风扇、水泵）或工业设备中的无刷直流电机 (BLDC) 驱动电路。 3. 负载切换： 该器件适用于负载切换应用，例如在汽车电子系统中控制大电流负载的接通与断开。其低导通电阻能够降低功耗，同时提供可靠的保护功能。 4. 电池管理系统 (BMS)： 在电池充放电管理中，FDP032N08 可作为充电路径管理的开关或保护电路的一部分，确保电池的安全运行并延长使用寿命。 5. 逆变器： 该 MOSFET 可用于太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，实现高效的 AC-DC 或 DC-AC 转换。其高电流处理能力和低开关损耗使其成为理想选择。 6. LED 驱动： 在高功率 LED 照明应用中，FDP032N08 可用作恒流源的开关元件，支持精确的电流调节和亮度控制。 7. 音频放大器： 在 D 类音频放大器中，该器件可以用作输出级开关，提供高效率和低失真的音频信号放大。 总结来说，FDP032N08 的高性能参数（如低 Rds(on)、高电流容量和快速开关速度）使其非常适合各种电力电子应用，尤其是在需要高效能量转换和低热损耗的场景中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220MOSFET 75V N-Channel PowerTrench |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 235 A |
| Id-连续漏极电流 | 235 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP032N08PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDP032N08 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 375 W |
| Pd-功率耗散 | 375 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 191 ns |
| 下降时间 | 121 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 15160pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 220nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.2 毫欧 @ 75A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 典型关闭延迟时间 | 335 ns |
| 功率-最大值 | 375W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.421 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tc） |
| 系列 | FDP032N08 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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