Datasheet下载- 型号： PSMN017-80PS,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN017-80PS,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN017-80PS,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN017-80PS,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN017-80PS,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN017-80PS,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN017-80PS,127 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用 TO-220AB 封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 17 mΩ @ VGS = 10 V）、高耐压（VDSS = 80 V）和良好热稳定性。其典型应用场景包括： - 中功率开关电源：如 AC-DC 适配器、PC 电源的同步整流或主开关管（尤其在次级侧低压大电流场合）； - 电机驱动：用于直流有刷电机、步进电机的H桥驱动或风扇控制模块，支持逻辑电平（5 V TTL/CMOS）直接驱动，简化栅极驱动设计； - 电池管理系统（BMS）：作为电池保护电路中的充放电主控开关或均衡开关，80 V 耐压可覆盖 24 V/48 V 系统； - 工业控制与PLC模块：用于继电器替代、LED 驱动、电磁阀/加热器等负载的固态开关； - 汽车电子辅助系统：符合 AEC-Q101 认证（注：需确认具体批次是否通过，该型号常用于车载非安全关键应用，如车灯控制、座椅调节、水泵驱动等）。 其低 RDS(on) 和高电流能力（ID = 60 A, TC = 25°C）有助于降低导通损耗、提升能效，适合对温升和效率有要求的中频（≤100 kHz）硬开关应用。注意实际使用时需合理设计散热与栅极驱动，避免雪崩失效。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V TO220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PSMN017-80PS,127 |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1573pF @ 40V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 17 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-7511-5 |
| 功率-最大值 | 103W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tmb） |
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