Datasheet下载- 型号： FDB024N06
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDB024N06由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB024N06价格参考。Fairchild SemiconductorFDB024N06封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDB024N06参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDB024N06 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDB024N06是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，主要应用于需要高效功率开关的场合。其典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）中，实现高效能电能转换，适用于服务器、通信设备及工业电源系统。 2. 电机控制：在直流电机、步进电机或无刷电机驱动电路中作为功率开关，广泛应用于工业自动化、机器人和电动工具中。 3. 负载开关：用于控制高电流负载的通断，如LED照明、加热元件或风扇等。 4. 逆变器与变频器：在UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和变频驱动系统中，作为核心开关元件实现电能形式的转换。 5. 汽车电子：适用于车载电源系统、电池管理系统（BMS）及车载充电器等场景。 该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适合高频开关应用，有助于提高系统效率并减小散热设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAKMOSFET 60V N-Channel PowerTrench |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 265 A |
| Id-连续漏极电流 | 265 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDB024N06PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDB024N06 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 395 W |
| Pd-功率耗散 | 395 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 324 ns |
| 下降时间 | 250 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 14885pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 226nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.4 毫欧 @ 75A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 其它名称 | FDB024N06TR |
| 典型关闭延迟时间 | 348 ns |
| 功率-最大值 | 395W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 1.762 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tc） |
| 系列 | FDB024N06 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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