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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR13N20DTRR由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR13N20DTRR价格参考。International RectifierIRFR13N20DTRR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFR13N20DTRR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR13N20DTRR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号 IRFR13N20DTRR 是一款 N沟道功率MOSFET,属于晶体管中的FET分类。该器件广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。 主要应用场景包括: 1. 电源转换器:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器,适用于计算机、服务器、通信设备等电源系统。 2. 电机控制:用于电动工具、工业自动化设备中的电机驱动电路,提供高效的开关控制。 3. 电池管理系统(BMS):在电动车、储能系统中用于电池充放电管理,具备高耐压和低导通电阻特性,提升能效。 4. 照明系统:如LED驱动电源,适用于高亮度LED照明控制。 5. 消费类电子产品:如电视、音响设备中的电源管理模块。 该MOSFET具有200V漏源击穿电压、低导通电阻、高开关速度等特点,适合中高功率应用场景,且采用TO-252封装,便于散热和安装。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 13A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | IRFR13N20DTRR |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 830pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 235 毫欧 @ 8A,10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 13A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfr13n20d.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfr13n20d.spi |