Datasheet下载- 型号： FCB20N60FTM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FCB20N60FTM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCB20N60FTM价格参考。Fairchild SemiconductorFCB20N60FTM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FCB20N60FTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FCB20N60FTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FCB20N60FTM是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型高压MOSFET，主要应用于需要高效率和高可靠性的电源转换场景。其600V耐压和20A大电流能力，使其特别适用于开关电源（SMPS）、AC-DC转换器、照明镇流器及LED驱动电源等工业与消费类电子产品中。 该器件常用于功率因数校正（PFC）电路和逆变器拓扑结构中，因其具备低导通电阻（RDS(on)）和优异的开关性能，可有效降低功耗、提升系统整体能效。此外，它也广泛应用于家用电器（如空调、洗衣机）、工业电机控制以及太阳能微逆变器等对热管理和长期稳定性要求较高的场合。 FCB20N60FTM采用TO-220F或类似封装，具有良好的散热性能和绝缘特性，适合在紧凑型设计中使用，并满足安全隔离需求。由于其高耐压和强负载能力，该MOSFET在中高功率应用中表现出色，是许多电源设计工程师的优选器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 20A D2PAKMOSFET 600V NCH FRFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 20 A |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FCB20N60FTMSuperFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FCB20N60FTM |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 208 W |
| Pd-功率耗散 | 208 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 150 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 150 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 30 V |
| 上升时间 | 140 ns |
| 下降时间 | 65 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3080pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 98nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 190 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 其它名称 | FCB20N60FTMCT |
| 典型关闭延迟时间 | 230 ns |
| 功率-最大值 | 208W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 1.312 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 150 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 17 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 20 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Tc） |
| 系列 | FCB20N60 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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