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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7811WTRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7811WTRPBF价格参考。International RectifierIRF7811WTRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF7811WTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7811WTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies旗下的IRF7811WTRPBF是一款N沟道MOSFET,属于高性能、低电压驱动的功率场效应晶体管,广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。该器件常用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动及电池供电设备中。 典型应用场景包括:便携式电子设备(如笔记本电脑、平板电脑)中的电源切换与电压调节;服务器和通信设备中的同步整流与热插拔控制;以及消费类电子产品(如智能手机充电管理模块)中的高效能电源转换。其低栅极电荷和低导通电阻(RDS(on))特性使其在高频开关应用中表现出色,有助于提升系统效率并减少发热。 此外,IRF7811WTRPBF采用TSSOP-8封装,体积小巧,适合高密度PCB布局,适用于空间受限的设计。凭借Infineon一贯的可靠性和稳定性,该MOSFET也常见于工业控制、电源适配器和LED驱动等对可靠性要求较高的场合。总体而言,IRF7811WTRPBF是一款适用于中低功率、高效率开关应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRF7811WTRPBF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2335pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 33nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 12 毫欧 @ 15A,4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | IRF7811WPBFDKR |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 14A (Ta) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf7811w.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf7811w.spi |