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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFSL3607PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFSL3607PBF价格参考。International RectifierIRFSL3607PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFSL3607PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFSL3607PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFSL3607PBF是由英飞凌科技(Infineon Technologies)生产的MOSFET晶体管,属于N沟道增强型功率MOSFET。该型号主要应用于需要高效能、低损耗和高开关速度的场景。以下是其典型应用场景: 1. 电源管理: IRFSL3607PBF适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电压调节模块(VRM)。其低导通电阻(Rds(on))特性可以降低功耗,提高效率。 2. 电机驱动: 用于无刷直流电机(BLDC)和其他类型的电机驱动电路中,能够提供高效的开关性能和稳定的电流控制。 3. 电池管理系统(BMS): 在电动汽车、储能系统和便携式设备的电池管理系统中,该MOSFET可用于充放电控制和保护电路。 4. 逆变器: 应用于太阳能逆变器、UPS(不间断电源)等场合,实现高效的电能转换。 5. 负载切换: 用于各种电子设备中的负载切换电路,确保快速、可靠的开关操作。 6. 音频放大器: 在D类音频放大器中,IRFSL3607PBF可作为输出级开关元件,提供高保真度和低失真的音频输出。 7. 通信设备: 在基站、路由器和其他通信设备中,用于信号处理和电源管理。 总之,IRFSL3607PBF凭借其优异的电气特性和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信领域,满足高性能和节能需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 75V 80A TO-262MOSFET MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-连续漏极电流 | 80 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFSL3607PBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRFSL3607PBF |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 140 W |
Pd-功率耗散 | 140 W |
Qg-GateCharge | 56 nC |
Qg-栅极电荷 | 56 nC |
RdsOn-漏源导通电阻 | 7.34 mOhms |
Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 100µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3070pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 84nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9 毫欧 @ 46A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-262 |
功率-最大值 | 140W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 7.34 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
封装/箱体 | I2PAK-3 |
工厂包装数量 | 3200 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | 75 V |
漏极连续电流 | 80 A |
漏源极电压(Vdss) | 75V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 80A (Tc) |