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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR120ATM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR120ATM价格参考。Fairchild SemiconductorIRFR120ATM封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFR120ATM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR120ATM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFR120ATM 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,常用于中低功率开关应用。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性,适用于多种电子系统中。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、电源开关和负载开关,用于提高能效和减小系统功耗。 2. 电机控制:用于小型电机驱动电路中,实现对电机启停和转速的控制。 3. 电池供电设备:如便携式电子产品、电池管理系统(BMS),用于高效能电能管理。 4. 工业自动化:用于PLC、继电器驱动、传感器供电等工业控制电路中。 5. 汽车电子:如车载充电系统、LED照明驱动、电动窗控制等。 6. 消费类电子产品:例如智能家电、充电器、适配器等,用于高效、小型化的电源设计。 该MOSFET采用表面贴装封装,便于自动化生产,适合中等电流和电压的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 8.4A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFR120ATM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 480pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 200 毫欧 @ 4.2A,10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8.4A (Tc) |