Datasheet下载- 型号： IXFX94N50P2
- 制造商： IXYS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFX94N50P2由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFX94N50P2价格参考。IXYSIXFX94N50P2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFX94N50P2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFX94N50P2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFX94N50P2是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于功率MOSFET器件，广泛应用于需要高效、高可靠性的电源转换和功率控制场合。 该型号MOSFET的主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：IXFX94N50P2适用于各种AC/DC和DC/DC转换器中，用于提高电源效率并减少发热，常见于工业电源、服务器电源及通信设备电源模块中。 2. 电机驱动与控制：在变频器、伺服驱动器和直流电机控制器中，作为主开关元件实现对电机转速和方向的精确控制。 3. 逆变器系统：如太阳能逆变器、UPS不间断电源等，用于将直流电转换为交流电输出，其高耐压（500V）和大电流能力适合此类高压高功率应用。 4. 焊接设备：用于高频逆变焊机中，提升焊接效率和稳定性。 5. 电动汽车相关系统：如车载充电器、电池管理系统中的功率控制部分。 6. 工业自动化设备：用于各类工业控制设备中的负载开关、继电器替代、加热控制等场景。 该器件具备低导通电阻、高dv/dt抗扰能力和优良的热性能，适合在高温和高电压环境下稳定工作。因此，在设计高可靠性、高效率的功率系统时，IXFX94N50P2是一个常用的选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 94A PLUS247MOSFET PolarP2 Power MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 94 A |
| Id-连续漏极电流 | 94 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFX94N50P2PolarP2™ HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFX94N50P2 |
| Pd-PowerDissipation | 1300 W |
| Pd-功率耗散 | 1.3 kW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 55 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 55 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 8mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 13700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 220nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 55 毫欧 @ 500mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PLUS247™-3 |
| 功率-最大值 | 1300W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 7.300 g |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | Polar2 HiPerFET |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | PLUS 247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 94A （Tc） |
| 系列 | IXFX94N50 |
| 配置 | Single |
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