Datasheet下载- 型号： FDS3680
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS3680由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS3680价格参考。Fairchild SemiconductorFDS3680封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDS3680参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS3680 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS3680 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款MOSFET器件，常用于电源管理和开关应用。该器件属于单N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻、高效率和快速开关特性，适合需要高效能和紧凑设计的电路。 其典型应用场景包括： 1. 电源转换器：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器，用于提高能量转换效率。 2. 负载开关：用于控制电池供电设备中的电源分配，如笔记本电脑、平板和智能手机。 3. 电机驱动：在小型电机或步进电机控制电路中作为开关元件。 4. 电源管理模块：广泛应用于服务器、通信设备和工业控制系统中的电源管理部分。 5. LED照明驱动：用于LED背光或照明系统的恒流控制电路中。 FDS3680因其小封装、低功耗和高可靠性，适用于高密度电路设计，尤其适合空间受限但要求高性能的便携式电子产品和嵌入式系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 5.2A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDS3680 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1735pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 53nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 46 毫欧 @ 5.2A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.2A （Ta） |
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