Datasheet下载- 型号： PMXB43UNEZ
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMXB43UNEZ由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMXB43UNEZ价格参考。NXP SemiconductorsPMXB43UNEZ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMXB43UNEZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMXB43UNEZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMXB43UNEZ 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款 P 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管中的 FET 类别。该器件主要用于电源管理和负载开关等应用场景。 该 MOSFET 的典型应用场景包括： 1. 电源管理：适用于电池供电设备，如笔记本电脑、平板电脑和移动设备，用于高效控制电源通断，降低功耗，延长电池寿命。 2. 负载开关：在需要控制高电流负载的系统中，如电机驱动、LED 照明或加热元件控制中，作为电子开关使用，具有低导通电阻，减少功率损耗。 3. DC-DC 转换器：用于各类电源转换电路中，如同步整流器、降压或升压变换器，提升转换效率。 4. 保护电路：用于过流、过压或反向电流保护电路中，作为快速响应开关元件。 5. 工业控制：在工业自动化系统中，用于控制继电器、传感器或执行器的电源供应。 该器件采用小型封装，适合空间受限的设计，具备良好的热稳定性和可靠性，适合中低功率应用。其低栅极电荷和快速开关特性，也使其适用于高频开关电路。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V DFN1010D-3G |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | PMXB43UNEZ |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 551pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 54 毫欧 @ 3.2A， 4.5V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 400mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 5,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.2A （Ta） |
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