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STB30N65M5产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STB30N65M5由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB30N65M5价格参考。STMicroelectronicsSTB30N65M5封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 650V 22A(Tc) 140W(Tc) D2PAK。您可以下载STB30N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STB30N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STB30N65M5是一款N沟道功率MOSFET,属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别。该器件具有以下主要参数:耐压650V,持续漏极电流可达30A(在特定条件下),导通电阻低至1.8Ω(典型值)。这些特性使得STB30N65M5非常适合应用于需要高效开关和高电压承受能力的场景中。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源 (SMPS):STB30N65M5可用于开关电源中的主开关管,适用于AC-DC转换器、DC-DC转换器等,提供高效的功率转换。 2. 电机驱动:由于其高电压和大电流能力,该MOSFET可以用于驱动各类电机,如直流无刷电机(BLDC)、步进电机等,尤其适合工业控制或家电中的电机应用。 3. 逆变器:在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中,STB30N65M5可用作功率开关元件,帮助实现直流到交流的转换。 4. 不间断电源 (UPS):在UPS系统中,该MOSFET可用于电池充放电管理及逆变电路,确保电力供应稳定可靠。 5. 负载切换与保护:利用其快速开关特性和低导通电阻,STB30N65M5可作为负载切换开关,在过流保护、短路保护等方面发挥作用。 6. 电动车/电动工具:在电动车控制器或电动工具中,这款MOSFET能够承受较高的电压和电流,满足高性能需求。 总之,STB30N65M5凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛适用于各种工业、消费类电子及汽车领域中的功率管理与控制场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 650V 22A D2PAKMOSFET POWER MOSFET N-CH 650V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 22 A |
Id-连续漏极电流 | 22 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STB30N65M5MDmesh™ V |
数据手册 | |
产品型号 | STB30N65M5 |
Pd-PowerDissipation | 140 W |
Pd-功率耗散 | 140 W |
Qg-GateCharge | 64 nC |
Qg-栅极电荷 | 64 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 125 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 125 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
上升时间 | 8 ns |
下降时间 | 10 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2880pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 64nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 139 毫欧 @ 11A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | 497-10563-6 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF222414?referrer=70071840 |
典型关闭延迟时间 | 50 ns |
功率-最大值 | 140W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 650V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 22A (Tc) |
系列 | STB30N65M5 |
配置 | Single |