Datasheet下载- 型号： SI7457DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7457DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7457DP-T1-GE3价格参考。VishaySI7457DP-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI7457DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7457DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7457DP-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，主要应用于需要高效功率管理和开关控制的电子设备中。该器件采用先进的 TrenchFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高功率密度和良好的热性能，适用于对空间和效率要求较高的设计。 典型应用场景包括： 1. 电源管理系统：如DC-DC转换器、负载开关和电池供电设备中的电源控制。 2. 电机控制：用于小型电机、风扇或继电器的开关控制。 3. 负载开关和热插拔应用：在服务器、通信设备和工业控制系统中实现对负载的高效接通与断开。 4. 汽车电子：如车载充电系统、车身控制模块等对可靠性要求较高的场景。 5. 消费类电子产品：如笔记本电脑、平板电脑和智能家电中的电源管理电路。 该MOSFET采用小型DFN封装，适合高密度PCB布局，且支持表面贴装工艺，便于自动化生产。由于其优异的性能和可靠性，SI7457DP-T1-GE3广泛用于中低功率开关应用中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI7457DP-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5230pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 160nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 42 毫欧 @ 7.9A，10V |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 功率-最大值 | 83W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 28A （Tc） |
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