Datasheet下载- 型号： SI1315DL-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1315DL-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1315DL-T1-GE3价格参考。VishaySI1315DL-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI1315DL-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1315DL-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI1315DL-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：SI1315DL 的低导通电阻（Rds(on)）使其非常适合用于高效能的降压或升压 DC-DC 转换电路中，降低功耗并提高效率。 - 负载开关：在便携式设备中，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑，该器件可用作负载开关，控制电源分配并减少待机功耗。 2. 电池管理系统 (BMS) - 在电池供电设备中，SI1315DL 可用于保护电路，防止过流、短路或反向电流对电池造成损害。 - 其低导通电阻特性有助于减少电池放电时的能量损耗。 3. 电机驱动 - 适用于小型直流电机驱动应用，例如玩具、家用电器和自动化设备中的电机控制。 - 通过 PWM（脉宽调制）信号调节电机速度和方向。 4. 信号切换 - 在通信设备和工业控制系统中，SI1315DL 可用作信号切换元件，实现高速信号的隔离与传输。 5. 消费电子 - 广泛应用于 USB 充电器、适配器和电源适配器中，提供高效的功率转换和保护功能。 - 在音频设备中，可用于开关或保护电路，确保信号的稳定性和设备的安全性。 6. 汽车电子 - 虽然不是专为汽车级设计，但在某些非关键车载应用中（如照明控制、传感器接口等），SI1315DL 也可作为候选器件。 总结 SI1315DL-T1-GE3 凭借其低导通电阻、小封装尺寸（SOT-23）以及出色的电气性能，特别适合于需要高效率、紧凑设计和低成本的消费类电子、通信设备及便携式产品中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 8V 900MA SC70-3MOSFET 8V .9A .4W |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 900 mA |
| Id-连续漏极电流 | - 900 mA |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI1315DL-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI1315DL-T1-GE3SI1315DL-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 0.4 W |
| Pd-功率耗散 | 400 mW |
| Qg-GateCharge | 1.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 1.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 500 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 500 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 8 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 8 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 0.4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 0.4 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 800mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 112pF @ 4V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.4nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 336 毫欧 @ 800mA，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 典型关闭延迟时间 | 14 ns |
| 功率-最大值 | 400mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 500 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SOT-323-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 3 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 8 V |
| 漏极连续电流 | - 900 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 8V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 900mA （Tc） |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI1305DL-T1-GE3 |
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