Datasheet下载- 型号： ZXMN10A08GTA
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMN10A08GTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMN10A08GTA价格参考。Diodes Inc.ZXMN10A08GTA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZXMN10A08GTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMN10A08GTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZXMN10A08GTA 是由 Diodes Incorporated 推出的一款增强型 N 沟道 MOSFET，广泛应用于各类电子设备中。其主要特点包括低导通电阻、高效率和良好的热稳定性，适用于中低功率的开关和功率管理场景。 该器件的典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于 DC-DC 转换器、电源开关和负载管理，适用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携式设备中的电池供电系统。 2. 电机驱动：可用于小型电机、风扇或泵的控制电路中，实现高效、快速的开关操作。 3. 负载开关：作为电子负载开关用于控制电源通断，常见于服务器、工业控制系统和智能家电中。 4. LED 照明：用于 LED 驱动电路中，实现恒流控制或调光功能。 5. 汽车电子：适用于车载电源系统、车载充电器及汽车照明控制模块。 6. 消费类电子产品：如电源适配器、充电器、无线充电设备等。 ZXMN10A08GTA 采用小型封装，适合高密度 PCB 设计，同时具备良好的耐压和电流承载能力，是一款性能稳定、应用广泛的通用型 MOSFET。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.9 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.9 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET 100V N-Channel 2A MOSFET |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMN10A08GTA |
| 产品型号 | ZXMN10A08GTA |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 250 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 250 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 2.2 ns |
| 下降时间 | 3.2 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 8 ns |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
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