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IRFH6200TRPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH6200TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH6200TRPBF价格参考。International RectifierIRFH6200TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 20V 49A(Ta),100A(Tc) 3.6W(Ta),156W(Tc) 8-PQFN(5x6)。您可以下载IRFH6200TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFH6200TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFH6200TRPBF 是由 Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的一款晶体管,属于 FET(场效应晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管) - 单类别的产品。以下是该型号的应用场景: 1. 电源管理: IRFH6200TRPBF 适用于各种电源管理应用,例如 DC-DC 转换器、开关电源(SMPS)、降压/升压转换器等。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于提高效率,减少功率损耗。 2. 电机驱动: 该 MOSFET 可用于小型电机驱动电路中,例如家用电器、风扇、泵和电动工具的控制。其快速开关特性和高电流承载能力使其成为理想选择。 3. 电池管理系统(BMS): 在电池保护和管理系统中,IRFH6200TRPBF 可用作充电/放电路径的开关,确保电池的安全运行并优化能量传输效率。 4. 汽车电子: 该器件适合汽车中的负载开关、继电器替代和 LED 驱动等应用。其出色的耐用性和可靠性满足了汽车环境的严格要求。 5. 消费电子设备: 包括笔记本电脑适配器、平板电脑充电器和其他便携式电子设备中的功率转换模块。它的紧凑封装(如 PQFN 封装)非常适合空间受限的设计。 6. 工业自动化: 在工业领域,该 MOSFET 可应用于可编程逻辑控制器(PLC)、伺服驱动器和工业电源中,提供高效且稳定的性能。 7. 通信设备: 用于基站电源、网络路由器和交换机的功率分配与管理,支持高性能的数据处理需求。 总结来说,IRFH6200TRPBF 凭借其低导通电阻、高效率和可靠的性能,在需要高效功率切换和管理的各种应用场景中表现出色。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 20V 45A 8-PQFNMOSFET 20V SINGLE N-CH 1.2mOhms 155nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-连续漏极电流 | 100 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH6200TRPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRFH6200TRPBF |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 250 W |
Pd-功率耗散 | 250 W |
Qg-GateCharge | 155 nC |
Qg-栅极电荷 | 155 nC |
RdsOn-漏源导通电阻 | 0.99 mOhms |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.1V @ 150µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 10890pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 230nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 0.99 毫欧 @ 50A, 4.5V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PQFN(5x6) |
其它名称 | IRFH6200TRPBFDKR |
功率-最大值 | 3.6W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
导通电阻 | 1.2 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
封装/箱体 | PQFN-8 5x6 |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 20 V |
漏极连续电流 | 100 A |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 49A (Ta) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfh6200pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfh6200pbf.spi |
配置 | Single |