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Datasheet下载- 型号： RW1A020ZPT2R
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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RW1A020ZPT2R产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RW1A020ZPT2R由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RW1A020ZPT2R价格参考。ROHM SemiconductorRW1A020ZPT2R封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 12V 2A（Ta） 700mW（Ta） 6-WEMT。您可以下载RW1A020ZPT2R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RW1A020ZPT2R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，1.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RW1A020ZPT2R |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 770pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 105 毫欧 @ 2A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-WEMT |
| 其它名称 | RW1A020ZPT2RCT |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2A （Ta） |
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