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SI7465DP-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7465DP-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7465DP-T1-GE3价格参考¥4.30-¥10.78。VishaySI7465DP-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 60V 3.2A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK® SO-8。您可以下载SI7465DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7465DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7465DP-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - DC-DC转换器:用于降压或升压电路中的开关元件,提供高效的电压转换。 - 负载开关:在便携式设备中控制电源的开启与关闭,降低功耗。 - 电池管理系统:用于锂电池保护电路,防止过充、过放或短路。 2. 电机驱动 - 适用于小型直流电机或步进电机的驱动,实现精确的速度和方向控制。 - 在H桥电路中用作开关元件,支持正反转功能。 3. 消费电子 - 智能手机和平板电脑:作为负载开关或充电电路中的关键元件。 - 笔记本电脑:用于电源适配器或内部电压调节模块。 - 音频设备:在D类放大器中充当开关器件,提升效率并减少热量。 4. 工业应用 - 可编程逻辑控制器(PLC):用于信号隔离和功率输出控制。 - 传感器接口:驱动高电流负载或切换不同电压等级。 - LED照明:在恒流源驱动电路中确保LED亮度稳定。 5. 汽车电子 - 车载信息娱乐系统:提供稳定的电源供应。 - 车身控制系统:如车窗升降、雨刷控制等需要低损耗开关的应用。 - 电动助力转向(EPS):参与电机驱动控制以优化能效。 SI7465DP-T1-GE3 具有低导通电阻(Rds(on) = 1.8mΩ @ Vgs=10V)、高电流能力(Id = 42A)以及出色的热性能,非常适合上述对效率和可靠性要求较高的场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8MOSFET 60V 5.0A 3.5W 64mohm @ 10V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 3.2 A |
Id-连续漏极电流 | 3.2 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7465DP-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI7465DP-T1-GE3SI7465DP-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
Pd-功率耗散 | 1.5 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 64 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 64 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 9 ns |
下降时间 | 9 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 64 毫欧 @ 5A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
其它名称 | SI7465DP-T1-GE3CT |
典型关闭延迟时间 | 65 ns |
功率-最大值 | 1.5W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.2A (Ta) |
系列 | SI74xxDx |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | SI7465DP-GE3 |