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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDP55N06由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP55N06价格参考。Fairchild SemiconductorFDP55N06封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDP55N06参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDP55N06 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDP55N06 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,常用于中高功率的开关应用。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:广泛应用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)中,用于高效能的电能转换和调节。 2. 电机控制:适用于直流电机、步进电机等的驱动电路,实现电机的启停、调速和方向控制。 3. 负载开关:用于控制高电流负载的通断,如照明系统、加热元件等。 4. 逆变器与变频器:在UPS(不间断电源)、太阳能逆变器等系统中作为功率开关使用。 5. 汽车电子:如车载电源系统、电动工具、电池管理系统(BMS)等对效率和散热有要求的场景。 该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高电流承载能力和良好的热稳定性,适合需要高效、快速开关的应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 60V 55A TO-220MOSFET SINGLE N-CH 150V ULTRAFET TRENCH |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 55 A |
Id-连续漏极电流 | 55 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP55N06UniFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | FDP55N06 |
PCN封装 | |
Pd-PowerDissipation | 114 W |
Pd-功率耗散 | 114 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 22 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 22 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
上升时间 | 130 ns |
下降时间 | 95 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1510pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 37nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 22 毫欧 @ 27.5A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220 |
典型关闭延迟时间 | 70 ns |
功率-最大值 | 114W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 1.800 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 33 S |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 55A (Tc) |
系列 | FDP55N06 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |