Datasheet下载- 型号： FQPF9N90C
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF9N90C由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF9N90C价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF9N90C封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQPF9N90C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQPF9N90C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQPF9N90C 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET）。其主要参数包括：最大漏源电压（VDS）为900V，连续漏极电流（ID）可达7.5A，适用于高电压和中等电流的应用场景。 该器件广泛应用于需要高效、高压开关性能的电力电子系统中。例如，在电源适配器、充电器、DC-DC转换器和AC-DC电源模块中作为主开关元件使用。此外，它也常见于电机驱动电路、逆变器以及工业自动化设备中的功率控制部分。 由于其具备较高的耐压能力和良好的导通电阻特性，FQPF9N90C 还适合用于照明系统（如HID灯镇流器）、家电控制电路及新能源领域中的光伏逆变系统。在这些应用中，它可以有效提升系统的整体效率并降低损耗。 总结来说，FQPF9N90C 的典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS） 2. 电池充电器 3. 电机控制器 4. 工业电源设备 5. LED照明驱动 6. 太阳能逆变器 这款MOSFET凭借其可靠的性能和高性价比，广泛受到设计工程师的青睐。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 900V 8A TO-220F |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQPF9N90C |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2730pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 58nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.4 欧姆 @ 4A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 功率-最大值 | 68W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 900V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A （Tc） |
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