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- 型号： FDZ294N
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDZ294N由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDZ294N价格参考。Fairchild SemiconductorFDZ294N封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDZ294N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDZ294N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDZ294N是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，属于小信号MOSFET，常用于低电压、低功率开关应用。其主要应用场景包括便携式电子设备中的电源管理与负载开关控制，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。由于其导通电阻低（典型值约0.1Ω），开关速度快，适合用于电池供电系统中提高能效。 该器件也广泛应用于DC-DC转换器中的同步整流、LED驱动电路以及各类小型电源模块中，有助于降低功耗并提升整体效率。此外，FDZ294N因其封装小巧（如SOT-23或SC-70），非常适合空间受限的高密度电路板设计。 在信号切换方面，FDZ294N可用于模拟开关或数字信号通断控制，例如音频路径切换、传感器使能控制等。其栅极阈值电压较低（通常在0.8V至1.2V之间），可直接由低压逻辑信号（如1.8V或3.3V MCU输出）驱动，简化了控制电路设计。 总体而言，FDZ294N凭借其小尺寸、低功耗和高可靠性，广泛适用于消费电子、工业控制、通信模块及物联网设备中的开关与电源管理场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 6A 9-BGA |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDZ294N |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 670pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 23 毫欧 @ 6A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 9-BGA |
| 其它名称 | FDZ294NDKR |
| 功率-最大值 | 1.7W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 9-WFBGA |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Ta） |
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