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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD18N06L由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD18N06L价格参考。ON SemiconductorNTD18N06L封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTD18N06L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTD18N06L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD18N06L 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于多种电子设备中。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)等,因其导通电阻低、开关速度快,有助于提高电源转换效率。 2. 电机控制:在直流电机驱动、步进电机控制等场合,作为开关元件使用,具备良好的耐压和电流承载能力。 3. 负载开关:用于控制高功率负载的通断,如LED照明、加热元件等,具备良好的热稳定性和可靠性。 4. 逆变器与变频器:在UPS(不间断电源)、太阳能逆变器等设备中,作为核心开关器件参与能量转换。 5. 汽车电子:适用于车载电源系统、电动工具、电动车控制器等,符合汽车级可靠性要求。 该器件采用DPAK封装,便于散热和安装,适合高密度电路设计。由于其良好的性能与性价比,NTD18N06L在工业控制、消费电子和汽车应用中均有广泛使用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTD18N06L |
PCN过时产品 | |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 675pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 65 毫欧 @ 9A,5V |
供应商器件封装 | DPAK-3 |
功率-最大值 | 55W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
标准包装 | 75 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 18A (Ta) |