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  • 型号: IRFB4127PBF
  • 制造商: International Rectifier
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IRFB4127PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB4127PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB4127PBF价格参考¥10.39-¥11.38。International RectifierIRFB4127PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 200V 76A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRFB4127PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFB4127PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRFB4127PBF是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号的MOSFET适用于多种电力电子应用场景,主要包括以下几个方面:

 1. 电源管理
   - 开关电源(SMPS):IRFB4127PBF常用于开关电源中的功率开关,能够高效地进行电压转换和调节。
   - DC-DC转换器:在降压或升压电路中,该MOSFET作为开关元件,实现高效的直流电压转换。
   - 负载开关:用于动态控制电路中的负载通断,确保设备在待机或关机状态下的低功耗。

 2. 电机驱动
   - 无刷直流电机(BLDC)驱动:在电机驱动电路中,IRFB4127PBF可以用作功率级的一部分,提供高电流输出以驱动电机。
   - 步进电机驱动:用于控制步进电机的相位切换,实现精确的位置控制。

 3. 工业自动化
   - 可编程逻辑控制器(PLC):在PLC的输出模块中,MOSFET用于驱动外部负载,如继电器、指示灯或小型电机。
   - 传感器接口:为传感器供电或作为信号隔离的开关元件。

 4. 汽车电子
   - 车载电子设备:例如车窗升降器、座椅调节器、雨刷控制系统等,需要高可靠性、低导通电阻的MOSFET。
   - LED驱动:用于驱动汽车内外部LED照明系统,确保稳定的电流输出。

 5. 消费电子产品
   - 笔记本电脑适配器:在适配器的功率转换电路中,IRFB4127PBF可以提高效率并减少热量产生。
   - 家用电器:如空调、冰箱、洗衣机等设备中的风扇控制或压缩机驱动。

 6. 通信设备
   - 基站电源:在通信基站的电源模块中,该MOSFET可用于高效功率分配。
   - 信号放大器:作为功率开关,支持高频信号的放大和传输。

 特性优势
- 低导通电阻(Rds(on)):降低功率损耗,提高整体效率。
- 高耐压能力:适合高压应用环境。
- 快速开关速度:减少开关损耗,提升动态性能。
- 高可靠性:满足工业和汽车领域的严格要求。

综上所述,IRFB4127PBF广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的场景,特别是在需要低功耗和高可靠性的场合表现出色。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 200V 76A TO-220ABMOSFET MOSFT 200V 76A 20mOhm 100nC Qg

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

76 A

Id-连续漏极电流

76 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB4127PBFHEXFET®

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产品型号

IRFB4127PBF

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

375 W

Pd-功率耗散

375 W

Qg-GateCharge

100 nC

Qg-栅极电荷

100 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

20 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

20 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

200 V

Vds-漏源极击穿电压

200 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

18 ns

下降时间

22 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5380pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

150nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

20 毫欧 @ 44A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

典型关闭延迟时间

56 ns

功率-最大值

375W

功率耗散

375 W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

20 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

100 nC

标准包装

50

正向跨导-最小值

79 S

汲极/源极击穿电压

200 V

漏极连续电流

76 A

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

76A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

+/- 20 V

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