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IRFB4127PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB4127PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB4127PBF价格参考¥10.39-¥11.38。International RectifierIRFB4127PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 200V 76A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRFB4127PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFB4127PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRFB4127PBF是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号的MOSFET适用于多种电力电子应用场景,主要包括以下几个方面: 1. 电源管理 - 开关电源(SMPS):IRFB4127PBF常用于开关电源中的功率开关,能够高效地进行电压转换和调节。 - DC-DC转换器:在降压或升压电路中,该MOSFET作为开关元件,实现高效的直流电压转换。 - 负载开关:用于动态控制电路中的负载通断,确保设备在待机或关机状态下的低功耗。 2. 电机驱动 - 无刷直流电机(BLDC)驱动:在电机驱动电路中,IRFB4127PBF可以用作功率级的一部分,提供高电流输出以驱动电机。 - 步进电机驱动:用于控制步进电机的相位切换,实现精确的位置控制。 3. 工业自动化 - 可编程逻辑控制器(PLC):在PLC的输出模块中,MOSFET用于驱动外部负载,如继电器、指示灯或小型电机。 - 传感器接口:为传感器供电或作为信号隔离的开关元件。 4. 汽车电子 - 车载电子设备:例如车窗升降器、座椅调节器、雨刷控制系统等,需要高可靠性、低导通电阻的MOSFET。 - LED驱动:用于驱动汽车内外部LED照明系统,确保稳定的电流输出。 5. 消费电子产品 - 笔记本电脑适配器:在适配器的功率转换电路中,IRFB4127PBF可以提高效率并减少热量产生。 - 家用电器:如空调、冰箱、洗衣机等设备中的风扇控制或压缩机驱动。 6. 通信设备 - 基站电源:在通信基站的电源模块中,该MOSFET可用于高效功率分配。 - 信号放大器:作为功率开关,支持高频信号的放大和传输。 特性优势 - 低导通电阻(Rds(on)):降低功率损耗,提高整体效率。 - 高耐压能力:适合高压应用环境。 - 快速开关速度:减少开关损耗,提升动态性能。 - 高可靠性:满足工业和汽车领域的严格要求。 综上所述,IRFB4127PBF广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的场景,特别是在需要低功耗和高可靠性的场合表现出色。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 200V 76A TO-220ABMOSFET MOSFT 200V 76A 20mOhm 100nC Qg |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 76 A |
Id-连续漏极电流 | 76 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB4127PBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRFB4127PBF |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 375 W |
Pd-功率耗散 | 375 W |
Qg-GateCharge | 100 nC |
Qg-栅极电荷 | 100 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 20 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 20 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 18 ns |
下降时间 | 22 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5380pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 150nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 20 毫欧 @ 44A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
典型关闭延迟时间 | 56 ns |
功率-最大值 | 375W |
功率耗散 | 375 W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 20 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极电荷Qg | 100 nC |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 79 S |
汲极/源极击穿电压 | 200 V |
漏极连续电流 | 76 A |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 76A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |