Datasheet下载- 型号： SIR436DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIR436DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIR436DP-T1-GE3价格参考。VishaySIR436DP-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIR436DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIR436DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIR436DP-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于需要高效功率控制的场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于笔记本电脑、服务器和移动设备中的 DC-DC 转换器和电源开关，因其低导通电阻（Rds(on)）可减少功率损耗，提高能效。 2. 负载开关：用于控制电池供电设备中的负载切换，如智能手机、平板电脑和便携式仪器，具备快速开关特性和低漏电流，有助于延长电池寿命。 3. 电机控制：在小型电机驱动电路中作为开关元件，适用于电动工具、风扇和自动化设备。 4. 保护电路：用于过流保护、反向电压保护等电路中，提供可靠的开关性能和热稳定性。 5. 汽车电子：适用于车载电源系统、LED 照明控制和电池管理系统（BMS），具备良好的温度特性和可靠性，适应复杂工作环境。 该器件采用小型封装（如PowerPAK® 1212-8），适合高密度 PCB 设计，广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8MOSFET 25V 40A 50W |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 40 A |
| Id-连续漏极电流 | 40 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIR436DP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIR436DP-T1-GE3SIR436DP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 5 W |
| Pd-功率耗散 | 5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 11 ns |
| 下降时间 | 9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1715pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 47nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.6 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SIR436DP-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 32 ns |
| 功率-最大值 | 50W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 5 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 60 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 25 V |
| 漏极连续电流 | 40 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 40A （Tc） |
| 系列 | SIRxxxDP |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SIR436DP-GE3 |
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