Datasheet下载- 型号： IXFN38N80Q2
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFN38N80Q2由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFN38N80Q2价格参考。IXYSIXFN38N80Q2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFN38N80Q2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFN38N80Q2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFN38N80Q2是一款高电压、大电流的N沟道MOSFET，属于晶体管中的功率MOSFET单管器件。该型号具有800V的高漏源击穿电压和38A的大电流承载能力，适用于高功率开关应用。 其主要应用场景包括：工业电源系统中的开关电源（SMPS），如大功率AC-DC和DC-DC转换器；高压电源设备，如激光电源、X射线发生器和静电除尘设备；电机驱动系统，特别是在工业电机控制和电动汽车充电模块中用于高频开关操作；还可用于逆变器系统，如太阳能逆变器和不间断电源（UPS）中，实现高效电能转换。 由于具备优良的热稳定性和抗雪崩能力，IXFN38N80Q2在高温、高应力工作环境下仍能保持可靠性能，因此广泛应用于对安全性和稳定性要求较高的工业和能源领域。此外，其快速开关特性有助于降低能量损耗，提高系统整体效率。 综上所述，IXFN38N80Q2适用于高电压、高功率的开关与功率控制场景，特别适合工业电源、可再生能源系统及高压电子设备等关键应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 38A SOT-227 |
| 产品分类 | FET - 模块 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IXFN38N80Q2 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HiPerFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 8mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8340pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 190nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 220 毫欧 @ 500mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-227B |
| 功率-最大值 | 735W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | SOT-227-4，miniBLOC |
| 标准包装 | 10 |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 38A |
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