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NTP6413ANG产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTP6413ANG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTP6413ANG价格参考。ON SemiconductorNTP6413ANG封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 42A(Tc) 136W(Tc) TO-220AB。您可以下载NTP6413ANG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTP6413ANG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTP6413ANG 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源 (SMPS) - NTP6413ANG 的低导通电阻(Rds(on) 典型值为 28mΩ @ Vgs=10V)和高电流能力(最大漏极电流 Id = 27A),使其非常适合用于开关电源中的功率开关。 - 应用于 DC-DC 转换器、降压或升压电路中,提供高效的能量转换。 2. 电机驱动 - 该 MOSFET 可用于小型直流电机的驱动控制,例如家用电器中的风扇、泵或玩具电机。 - 其快速开关特性和低损耗特性能够提高电机驱动效率,减少发热。 3. 负载开关 - 在便携式设备(如智能手机、平板电脑等)中,NTP6413ANG 可用作负载开关,控制不同模块的供电状态。 - 提供低导通压降,确保系统功耗最小化。 4. 电池管理 - 适用于锂电池保护电路,作为充放电路径的开关元件。 - 其低 Rds(on) 可降低电池回路中的电压损失,提高整体效率。 5. LED 驱动 - 在 LED 照明应用中,NTP6413ANG 可用于恒流源电路,调节 LED 的亮度或实现调光功能。 - 适合高亮度 LED 或 LED 灯条驱动。 6. 通信设备 - 用于路由器、交换机或其他网络设备中的电源管理模块。 - 提供稳定的电流输出,支持多端口供电需求。 7. 汽车电子 - 在汽车电子系统中,可用于辅助电源管理、电动座椅控制、车窗升降器等场景。 - 具备一定的耐热能力和可靠性,适应车载环境。 总结 NTP6413ANG 凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域。其低导通电阻和高电流承载能力,使其成为高效功率转换和控制的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 100V 42A TO-220ABMOSFET NFET TO220 100V 42A 28MOH |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 42 A |
Id-连续漏极电流 | 42 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTP6413ANG- |
数据手册 | |
产品型号 | NTP6413ANG |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 136 W |
Pd-功率耗散 | 136 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 28 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 28 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1800pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 51nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 28 毫欧 @ 42A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | NTP6413ANG-ND |
功率-最大值 | 136W |
功率耗散 | 136 W |
包装 | 管件 |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 28 mOhms |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | 100 V |
漏极连续电流 | 42 A |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 42A (Tc) |
系列 | NTP6413AN |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |