Datasheet下载- 型号： FDP18N20F
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDP18N20F由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP18N20F价格参考。Fairchild SemiconductorFDP18N20F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDP18N20F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDP18N20F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDP18N20F 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS） - FDP18N20F 的高电压耐受能力（200V）和低导通电阻（Rds(on) = 0.35Ω @ Vgs=10V）使其非常适合用于开关电源中的功率开关。它可以高效地控制电流的通断，适用于 AC-DC 或 DC-DC 转换器。 2. 电机驱动 - 在小型电机驱动应用中，FDP18N20F 可用作功率开关或逆变器的一部分。其快速开关特性和低损耗特性能够有效驱动直流电机或步进电机，广泛应用于家用电器、电动工具和工业自动化设备。 3. 负载开关 - 该器件可以用作负载开关，控制电路中不同负载的供电状态。例如，在汽车电子系统中，它可以用来管理电池与其他电子模块之间的连接。 4. 保护电路 - FDP18N20F 可用于过流保护、短路保护等场景。通过检测电流并迅速切断电路，保护下游设备免受损害。 5. 太阳能逆变器 - 在小型太阳能逆变器中，FDP18N20F 可以作为功率开关元件，将直流电转换为交流电，从而实现太阳能发电系统的能量输出。 6. LED 驱动 - 该 MOSFET 可用于 LED 照明驱动电路中，调节电流以确保 LED 的亮度稳定，并支持调光功能。 7. 音频放大器 - 在一些音频放大器设计中，FDP18N20F 可用作输出级功率开关，提供高效的功率传输，同时减少热量损失。 总结 FDP18N20F 凭借其高压能力、低导通电阻和快速开关速度，适合应用于需要高效功率转换和开关控制的场合，如开关电源、电机驱动、负载开关、保护电路、太阳能逆变器、LED 驱动和音频放大器等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220MOSFET 200V N-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 18 A |
| Id-连续漏极电流 | 18 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP18N20FUniFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDP18N20F |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 100 W |
| Pd-功率耗散 | 100 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 140 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 140 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 50 ns |
| 下降时间 | 40 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1180pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 145 毫欧 @ 9A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 典型关闭延迟时间 | 50 ns |
| 功率-最大值 | 100W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18A （Tc） |
| 系列 | FDP18N20F |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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