【未分类_PTFA092201E V1】封装/厂家_PTFA092201E V1中文资料_价格

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型号： PTFA092201E V1
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供PTFA092201E V1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PTFA092201E V1价格参考。InfineonPTFA092201E V1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载PTFA092201E V1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PTFA092201E V1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies的PTFA092201E V1是一款射频（RF）MOSFET晶体管，主要用于高频信号处理和放大场景。以下是其典型应用场景：

 1. 射频功率放大器
   - 该型号适用于射频功率放大器的设计，特别是在无线通信系统中，如对讲机、无线基站和其他射频设备。
   - 它能够高效地放大高频信号，确保传输距离和信号强度。

 2. 工业、科学和医疗（ISM）频段应用
   - 在ISM频段（例如433 MHz、868 MHz、915 MHz等），PTFA092201E V1可用于驱动无线发射器或传感器。
   - 常见于无线遥控、射频识别（RFID）、微波治疗设备等领域。

 3. 短波和超短波通信
   - 用于业余无线电爱好者制作的短波电台或超短波通信设备中，提供高效的信号放大功能。
   - 支持语音、数据或其他形式的无线信号传输。

 4. 测试与测量设备
   - 在射频测试仪器中，这款晶体管可以作为信号源的功率放大器，帮助生成稳定的高频信号。
   - 例如，矢量网络分析仪、频谱分析仪等设备可能需要此类元件。

 5. 雷达和导航系统
   - 在小型雷达系统或导航设备中，PTFA092201E V1可用来增强信号输出，提高探测精度和范围。
   - 适用于无人机避障雷达、汽车倒车雷达等。

 6. 物联网（IoT）设备
   - 随着物联网的发展，许多低功耗、长距离通信协议（如LoRa、Sigfox）需要高效的射频放大器，这款晶体管可以满足相关需求。

 特性优势：
- 高线性度：适合复杂调制信号的放大，减少失真。
- 低噪声：保证信号质量，尤其在弱信号环境下表现优异。
- 宽频率范围：支持多种射频应用的频率需求。
- 高可靠性：Infineon品牌以其稳定性和耐用性著称。

总之，PTFA092201E V1是一款专为射频应用设计的高性能MOSFET，广泛应用于通信、医疗、工业和消费电子领域。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	IC FET RF LDMOS 220W H-36260-2
产品分类	RF FET
品牌	Infineon Technologies
数据手册	http://www.infineon.com/dgdl/ptfa092201ef_v4_ds_3.1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4095d3b01ef&fileId=db3a304412b407950112b40a7b2c05ca
产品图片
产品型号	PTFA092201E V1
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	H-36260-2
其它名称	SP000235920
功率-输出	220W
包装	托盘
噪声系数	-
增益	18.5dB
封装/外壳	2-扁平封装，叶片引线
晶体管类型	LDMOS
标准包装	35
电压-测试	30V
电压-额定	65V
电流-测试	1.85A
频率	960MHz
额定电流	10µA