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- 型号： BLF8G10LS-270,118
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF8G10LS-270,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF8G10LS-270,118价格参考。NXP SemiconductorsBLF8G10LS-270,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF8G10LS-270,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF8G10LS-270,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF8G10LS-270,118 是由 Ampleon USA Inc. 生产的一款高性能射频功率 MOSFET 晶体管，主要应用于高频率、高功率的无线通信系统中。该器件工作频率可达 1 GHz 左右，具备高增益、高效率和出色的热稳定性，适合在大功率放大器中使用。 典型应用场景包括：陆地移动通信（如公共安全通信、应急通信系统）、广播发射设备（如 FM 广播发射机）、工业加热设备以及ISM频段（工业、科学和医疗）应用。此外，也广泛用于基站功率放大器模块，支持数字音频广播（DAB）和模拟 FM 广播发射系统。 BLF8G10LS-270,118 采用先进的 LDMOS 技术，支持高电压（典型漏极电压为28V或50V）操作，具有良好的耐用性和抗负载失配能力，能够在复杂电磁环境中稳定运行。其封装设计有利于高效散热，适用于连续波（CW）和调制信号工作模式。 由于其卓越的射频性能和可靠性，该器件常被选用于需要长时间高负荷运行的关键通信基础设施中，是现代射频功率放大设计中的核心元件之一。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF POWER 270W LDMOST |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF8G10LS-270,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT502B |
| 其它名称 | 934067016118 |
| 功率-输出 | 67W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18.5dB |
| 封装/外壳 | SOT-502B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 2A |
| 频率 | 820MHz ~ 960MHz |
| 额定电流 | - |
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