Datasheet下载- 型号： NTBV5605T4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTBV5605T4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTBV5605T4G价格参考。ON SemiconductorNTBV5605T4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTBV5605T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTBV5605T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTBV5605T4G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，属于单MOSFET器件。该器件采用先进的Trench工艺制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和优良的热性能，适用于多种电源管理与功率开关应用。 典型应用场景包括：便携式电子设备中的电源开关，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电池管理电路；DC-DC转换器，用于提升或降低电压以满足不同电路模块的供电需求；负载开关电路，用于控制电源对特定负载的供电，实现节能与过流保护；LED驱动电路，作为开关元件控制LED的亮灭；以及电机驱动、继电器驱动等中小功率开关应用。 由于其采用SOT-23封装，体积小巧，适合高密度贴装的便携式设备。同时，该器件符合RoHS环保要求，支持无铅焊接工艺，广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备等领域。其良好的性能和可靠性使其成为中低功率开关应用中的优选器件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTBV5605T4G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1190pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 140 毫欧 @ 8.5A，5V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 88W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18.5A （Ta） |
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