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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SUM85N03-06P-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUM85N03-06P-E3价格参考。VishaySUM85N03-06P-E3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SUM85N03-06P-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SUM85N03-06P-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SUM85N03-06P-E3 是由 Vishay Siliconix 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS): 该型号具有低导通电阻(Rds(on)),适合用于高效能的开关电源电路中,作为功率开关器件。其快速开关特性和低损耗特性使其在 DC-DC 转换器、反激式变换器和正弦波逆变器等应用中表现出色。 2. 电机驱动: SUM85N03-06P-E3 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,提供高效的开关控制。其耐压能力(30V)和低导通电阻能够减少功耗并提高系统效率。 3. 负载切换: 在消费电子设备中,该 MOSFET 常用于电池供电设备的负载切换电路中,例如移动设备、笔记本电脑或其他便携式电子产品,以实现快速、低损耗的电流切换。 4. 电池保护电路: 该器件适用于锂电池或可充电电池组的保护电路中,用于防止过流、短路或过放电等情况。其低导通电阻有助于降低电池保护电路中的能量损耗。 5. LED 驱动: 在 LED 照明应用中,SUM85N03-06P-E3 可用作开关元件,用于恒流驱动电路或调光控制电路中,确保 LED 的稳定工作。 6. 汽车电子: 该 MOSFET 还可用于汽车电子中的低电压应用,例如座椅调节、车窗升降器、雨刷控制系统等,提供可靠的开关功能。 7. 信号放大与缓冲: 在一些需要低功耗信号放大的场景中,SUM85N03-06P-E3 可用于信号缓冲电路,确保信号完整性的同时降低功耗。 综上所述,SUM85N03-06P-E3 凭借其低导通电阻、高开关速度和可靠性,广泛应用于各种低电压、高效率的电子电路中,尤其是在便携式设备、工业控制和汽车电子领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 30V 85A D2PAKMOSFET 30V 85A 100W |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 85 A |
Id-连续漏极电流 | 85 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SUM85N03-06P-E3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SUM85N03-06P-E3SUM85N03-06P-E3 |
Pd-PowerDissipation | 3.75 W |
Pd-功率耗散 | 3.75 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 6 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 6 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 12 ns |
下降时间 | 10 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3100pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 65nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6 毫欧 @ 20A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-263(D2Pak) |
其它名称 | SUM85N03-06P-E3DKR |
典型关闭延迟时间 | 30 ns |
功率-最大值 | 3.75W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Vishay / Siliconix |
商标名 | TrenchFET |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 800 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 85A (Tc) |
系列 | SUM |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |