Datasheet下载- 型号： NTF3055L108T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTF3055L108T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTF3055L108T1G价格参考￥1.44-￥1.44。ON SemiconductorNTF3055L108T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTF3055L108T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTF3055L108T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTF3055L108T1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，属于晶体管中的MOSFET单管产品。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和优良的开关性能，广泛应用于需要高效能功率控制的场合。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器中，作为主开关或同步整流元件，提升电源转换效率。 2. 电机驱动：适用于小型电机、步进电机或直流电机的驱动电路，尤其在工业控制和消费类电子产品中表现稳定。 3. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）和小型逆变器中用于功率切换，实现电能形态的高效转换。 4. 照明系统：可用于LED驱动电源，支持恒流控制和高频开关操作。 5. 汽车电子：由于具备良好的可靠性和温度特性，也适合车载电源系统、继电器驱动或负载开关等应用。 该MOSFET采用DPAK（TO-252）封装，便于散热，适合中等功率应用。其100V耐压和较高连续漏极电流能力（ID达28A）使其在多种工业、消费及汽车场景中具备广泛适用性。同时，该型号为无铅、符合RoHS标准，满足环保要求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 3A SOT223MOSFET 60V 3A N-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3 A |
| Id-连续漏极电流 | 3 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTF3055L108T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTF3055L108T1G |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.1 W |
| Pd-功率耗散 | 2.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 120 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 120 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 15 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 15 V |
| 上升时间 | 35 ns |
| 下降时间 | 27 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 440pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 120 毫欧 @ 1.5A，5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | NTF3055L108T1GOSDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 22 ns |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 功率耗散 | 2.1 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 120 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 5.7 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 3 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A （Ta） |
| 系列 | NTF3055L108 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 闸/源击穿电压 | +/- 15 V |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
