Datasheet下载- 型号： FDZ193P
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDZ193P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDZ193P价格参考。Fairchild SemiconductorFDZ193P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDZ193P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDZ193P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDZ193P 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于各种电力电子场景中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - FDZ193P 常用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电压调节模块（VRM）。它的低导通电阻（Rds(on)）特性使其在高频开关应用中表现出色，能够有效降低功耗并提高效率。 - 适用于笔记本电脑适配器、手机充电器和其他消费类电子产品中的电源管理单元。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或步进电机驱动中，FDZ193P 可用作功率开关，控制电机的启停、速度和方向。 - 其高电流处理能力和快速开关速度非常适合需要精确控制的电机应用，例如家用电器（如风扇、水泵）和工业自动化设备。 3. 负载开关 - FDZ193P 可作为负载开关使用，用于保护电路免受过流、短路等故障的影响。它能够在检测到异常情况时迅速切断电源，确保系统安全。 - 应用于移动设备、平板电脑和物联网（IoT）设备中的电源分配管理。 4. 电池管理系统（BMS） - 在锂电池或铅酸电池管理系统中，FDZ193P 可用作充放电路径的开关，实现对电池充放电过程的精确控制。 - 它的低导通电阻有助于减少电池能量损耗，延长电池寿命。 5. 信号切换 - FDZ193P 可用于音频信号切换、数据信号路由等场景。其低电容和快速开关特性使其适合高频信号切换应用。 - 常见于音频放大器、通信设备和测试测量仪器中。 6. 汽车电子 - 在汽车电子领域，FDZ193P 可用于车身控制模块（BCM）、LED 照明驱动、电动座椅控制等。其耐用性和可靠性满足汽车环境的严格要求。 7. 保护电路 - FDZ193P 可用于设计过流保护、过压保护和反向电流保护电路。通过结合其他元件（如二极管和电阻），它可以构建高效的保护方案。 总结 FDZ193P 的典型应用场景包括电源管理、电机驱动、负载开关、电池管理系统、信号切换、汽车电子和保护电路等。其高性能参数（如低 Rds(on)、高开关速度和良好的热性能）使其成为许多电力电子应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 3A 8-WLCSPMOSFET MFET-20V P-CH 1.7V PowerTrench WL-CSP |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，1.7V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3 A |
| Id-连续漏极电流 | 3 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDZ193PPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDZ193P |
| Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
| Pd-功率耗散 | 1.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 66 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 66 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 660pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 90 毫欧 @ 1A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-WLCSP |
| 其它名称 | FDZ193PTR |
| 典型关闭延迟时间 | 28 ns |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 54 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 66 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-UFBGA，WLCSP |
| 封装/箱体 | WLCSP-6 1x1.5 |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 5,000 |
| 正向跨导-最小值 | 5.6 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 20 V |
| 漏极连续电流 | 3 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A （Ta） |
| 系列 | FDZ193P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain Triple Source |
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