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- 型号： SI4886DY-T1-E3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4886DY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4886DY-T1-E3价格参考。VishaySI4886DY-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4886DY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4886DY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI4886DY-T1-E3是一款N沟道增强型MOSFET，属于单MOSFET晶体管，广泛应用于各类电子设备中。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和优良的热稳定性，适用于高效电源管理场景。 主要应用场景包括：便携式电子产品（如智能手机、平板电脑和笔记本电脑）中的电源开关与负载管理；电池供电设备中的电源控制，有效降低功耗并延长续航时间；DC-DC转换器中作为同步整流或开关元件，提升转换效率；以及电机驱动、LED驱动和热插拔电源模块等需要快速响应和低损耗的场合。 此外，SI4886DY-T1-E3采用小型化封装（如PowerPAK SO-8），节省PCB空间，适合高密度电路设计。其符合RoHS标准，支持无铅焊接工艺，适用于消费类电子、工业控制和通信设备等领域。由于具备良好的栅极耐压能力和抗干扰性能，该MOSFET在噪声环境较复杂的系统中也能稳定运行，是中小功率开关应用的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4886DY-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 800mV @ 250µA （最小） |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10 毫欧 @ 13A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 1.56W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.5A （Ta） |
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