Datasheet下载- 型号： 2SJ652-1E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SJ652-1E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SJ652-1E价格参考。ON Semiconductor2SJ652-1E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SJ652-1E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SJ652-1E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SJ652-1E是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款P沟道MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET）类别。该器件常用于需要高效开关和功率控制的电路中。 典型应用场景包括： 1. 电源管理电路：适用于DC-DC转换器、稳压电源等，作为高边开关使用，具备低导通电阻特性，有助于提高能效。 2. 负载开关应用：在电池供电设备中，用作控制负载通断的开关元件，以降低待机功耗，延长电池寿命。 3. 马达驱动与继电器驱动：用于小型电机或继电器的控制电路，实现快速响应和可靠关断。 4. 汽车电子系统：如车载充电系统、车身控制模块等，因其具备良好的热稳定性和可靠性，适合在车载环境中使用。 5. 工业控制设备：在PLC、传感器模块、工业自动化装置中作为功率开关使用。 该器件采用小型封装，便于在空间受限的设计中使用，同时具备较高的耐用性和稳定性，适合中低功率应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 28AMOSFET PCH 4V DRIVE SERIES |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 28 A |
| Id-连续漏极电流 | - 28 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor 2SJ652-1E* |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SJ652-1E |
| Pd-PowerDissipation | 30 W |
| Pd-功率耗散 | 30 W |
| Qg-GateCharge | 80 nC |
| Qg-栅极电荷 | 80 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 28.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 28.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 210 ns |
| 下降时间 | 180 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 310 ns |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 系列 | 2SJ652-1E |
| 配置 | Single |
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