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  • 型号: SIA923AEDJ-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SIA923AEDJ-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIA923AEDJ-T1-GE3价格参考。VishaySIA923AEDJ-T1-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SIA923AEDJ-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIA923AEDJ-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6LMOSFET -20V .054ohm@-4.5V -4.5A P-CH

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 P 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

- 4.5 A

Id-连续漏极电流

- 4.5 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIA923AEDJ-T1-GE3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SIA923AEDJ-T1-GE3SIA923AEDJ-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

7.8 W

Pd-功率耗散

7.8 W

Qg-GateCharge

16.3 nC

Qg-栅极电荷

16.3 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

97 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

97 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 20 V

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

- 0.9 V

Vgsth-栅源极阈值电压

- 0.9 V

上升时间

16 ns

下降时间

10 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

900mV @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

770pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

25nC @ 8V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

54 毫欧 @ 3.8A,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerPAK® SC-70-6 双

其它名称

SIA923AEDJ-T1-GE3CT

典型关闭延迟时间

30 ns

功率-最大值

7.8W

包装

剪切带 (CT)

商标

Vishay / Siliconix

商标名

TrenchFET

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

PowerPAK® SC-70-6 双

封装/箱体

SC-70-6

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

11 S

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4.5A

系列

SIA923AEDJ

通道模式

Enhancement

配置

Dual

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