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Datasheet下载- 型号： SI3586DV-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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SI3586DV-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3586DV-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3586DV-T1-GE3价格参考。VishaySI3586DV-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 20V 2.9A，2.1A 830mW 表面贴装 6-TSOP。您可以下载SI3586DV-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3586DV-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI3586DV-T1-GE3 是一款双N沟道增强型MOSFET阵列，广泛应用于需要高效、低导通电阻和小型封装的电源管理系统中。该器件常用于以下场景： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，因其低Rds(on)特性可提高能效，减少发热。 2. 电池供电设备：如笔记本电脑、平板电脑和手持设备，用于电池保护电路和功率开关，实现低功耗设计。 3. 电机控制：在小型电机或步进电机驱动电路中作为开关元件，支持高频PWM控制。 4. 负载切换与电源分配：在服务器、通信设备和工业控制系统中用于多路电源切换和负载分配。 5. 热插拔电路：用于服务器和存储设备中，实现带电插拔时的电流限制与保护。 6. 汽车电子：用于车载电源系统、LED照明控制和车载充电器等场景。 该器件采用TDFN封装，体积小、导通电阻低，适合高密度PCB布局，适用于需要高效能与空间优化的设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6-TSOP |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI3586DV-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 60 毫欧 @ 3.4A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | SI3586DV-T1-GE3TR |
| 功率-最大值 | 830mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.9A，2.1A |
