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  • 型号: ECH8601M-TL-H
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供ECH8601M-TL-H由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ECH8601M-TL-H价格参考。ON SemiconductorECH8601M-TL-H封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ECH8601M-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ECH8601M-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor(安森美)的ECH8601M-TL-H是一款晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品,适用于多种电子电路设计场景。以下是其主要应用场景:

1. 电源管理:该器件可应用于开关电源、DC-DC转换器和电压调节模块中,用于高效地控制电流和电压输出。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗,提高系统效率。

2. 负载开关:在便携式设备(如智能手机、平板电脑等)中,ECH8601M-TL-H可用作负载开关,实现对不同负载的快速开启和关闭,同时保护电路免受过流或短路的影响。

3. 电机驱动:在小型电机控制应用中,这款MOSFET阵列能够提供高效的驱动能力,支持精确的速度和方向控制,适用于风扇、泵和其他小型机电设备。

4. 信号切换:在多通道信号处理系统中,ECH8601M-TL-H可以用于信号切换,确保信号路径的准确选择和隔离,适用于通信设备、音频设备和测试仪器。

5. 电池管理:该器件可用于电池保护电路中,防止过充、过放和短路等情况的发生,确保电池的安全性和使用寿命。

6. 背光驱动:在LCD显示屏的背光电路中,ECH8601M-TL-H可以作为驱动元件,控制LED灯条的亮度和均匀性,满足显示设备的需求。

7. 数据通信:在高速数据传输接口(如USB、以太网等)中,这款MOSFET阵列可用于信号增强和保护,保证数据传输的稳定性和可靠性。

总之,ECH8601M-TL-H凭借其高性能和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域,为各种电子系统提供关键的功率和信号控制功能。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 24V 8A ECH8MOSFET NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平栅极,2.5V 驱动

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

8 A

Id-连续漏极电流

8 A

品牌

ON Semiconductor

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor ECH8601M-TL-H-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

ECH8601M-TL-H

Pd-PowerDissipation

1.6 W

Pd-功率耗散

1.6 W

Qg-GateCharge

7.5 nC

Qg-栅极电荷

7.5 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

17 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

17 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

24 V

Vds-漏源极击穿电压

24 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

上升时间

1000 ns

下降时间

1800 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

-

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

7.5nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

23 毫欧 @ 4A,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-ECH

典型关闭延迟时间

3000 ns

功率-最大值

1.6W

包装

带卷 (TR)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SMD,扁平引线

封装/箱体

ECH-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

24V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

8A (Ta)

系列

ECH8601M

配置

Single Quad Drain Dual Source Dual Gate

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