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Datasheet下载- 型号： SI4904DY-T1-E3
- 制造商： Vishay
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SI4904DY-T1-E3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4904DY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4904DY-T1-E3价格参考。VishaySI4904DY-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 40V 8A 3.25W 表面贴装 8-SO。您可以下载SI4904DY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4904DY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4904DY-T1-E3 是一款包含两个P沟道MOSFET的阵列器件，常用于需要高效电源管理和负载开关控制的应用。该器件适用于以下典型应用场景： 1. 电源管理：在电池供电设备中，如笔记本电脑、平板电脑和便携式电子产品，SI4904DY-T1-E3可用于电源路径管理，实现高效能的电源切换与节能控制。 2. 负载开关：作为负载开关用于控制电机、LED灯组或外围设备的供电，具备低导通电阻（Rds(on)）特性，有助于减少功率损耗并提高系统效率。 3. DC-DC转换器：在同步整流DC-DC转换器中，该器件可作为高边开关使用，提升转换效率，适用于通信设备和工业控制系统中的电源模块。 4. 马达驱动与继电器替代：由于其具备较高的耐用性和响应速度，适合用于无刷直流电机控制及固态继电器设计中，实现更可靠的电子开关功能。 5. 汽车电子：符合AEC-Q100标准的该器件也可应用于车载系统，如车身控制模块、车窗升降控制等场景，提供稳定且高效的开关性能。 总之，SI4904DY-T1-E3凭借其集成双P沟道MOSFET结构、小尺寸封装及优异电气性能，广泛适用于对空间与效率要求较高的电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOICMOSFET 40V 8.0A 3.25W |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8 A |
| Id-连续漏极电流 | 8 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4904DY-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4904DY-T1-E3SI4904DY-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 16 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 16 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| 上升时间 | 20 ns, 117 ns |
| 下降时间 | 10 ns, 19 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2390pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 85nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 16 毫欧 @ 5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4904DY-T1-E3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 56 ns, 62 ns |
| 功率-最大值 | 3.25W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI4904DY-E3 |
