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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ALD110900APAL由Advanced Linear Devices设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ALD110900APAL价格参考。Advanced Linear DevicesALD110900APAL封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ALD110900APAL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ALD110900APAL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ALD110900APAL是由Advanced Linear Devices Inc.生产的晶体管-FET、MOSFET阵列,其应用场景广泛,尤其适合需要低电压操作和高精度控制的电子设备。以下是该型号的主要应用场景: 1. 电池管理: ALD110900APAL适用于电池保护电路,能够精确控制充电/放电过程中的电流和电压。它支持超低电压操作(最低至0.8V),非常适合锂离子电池、镍氢电池等便携式设备的电池管理系统。 2. 信号切换与多路复用: 由于其集成多个MOSFET单元,ALD110900APAL可用于信号切换和多路复用器设计。例如,在音频设备中实现输入/输出通道的选择或在数据采集系统中进行多路信号切换。 3. 低功耗便携设备: 该器件具有极低的静态电流和漏电流特性,非常适合低功耗应用,如可穿戴设备、智能手表、手持式医疗设备等。 4. 模拟开关: 在需要高线性度和低导通电阻(Rds(on))的应用中,ALD110900APAL可用作高性能模拟开关,适用于音频信号处理、传感器接口等领域。 5. 电源管理: 该器件可用于DC-DC转换器、负载开关和其他电源管理电路中,提供高效且稳定的电源控制。 6. 工业自动化: 在工业控制领域,ALD110900APAL可用于驱动小型电机、继电器或其他低功率负载,同时确保系统的可靠性和稳定性。 7. 通信设备: 在无线通信模块中,该器件可用于射频前端电路的开关控制,帮助优化信号传输效率并降低功耗。 总结来说,ALD110900APAL凭借其低电压操作能力、高集成度和低功耗特性,成为各类便携式设备、电池管理系统以及工业自动化应用的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Depletion |
描述 | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIPMOSFET Dual EPAD(R) N-Ch |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | 2 N 沟道(双)配对 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 12 mA |
Id-连续漏极电流 | 12 mA |
品牌 | Advanced Linear Devices Inc |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Advanced Linear Devices ALD110900APALEPAD®, Zero Threshold™ |
mouser_ship_limit | 根据美国政府的出口法规规定,Mouser无法将此产品销售到您所在的国家。 |
数据手册 | |
产品型号 | ALD110900APAL |
Pd-PowerDissipation | 500 mW |
Pd-功率耗散 | 500 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 500 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 500 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 10 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 10 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 10.6 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 10.6 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 10mV @ 1µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2.5pF @ 5V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 500 欧姆 @ 4V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-PDIP |
其它名称 | 1014-1030 |
典型关闭延迟时间 | 10 ns |
功率-最大值 | 500mW |
包装 | 管件 |
商标 | Advanced Linear Devices |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 500 Ohms |
封装/外壳 | 8-DIP(0.300",7.62mm) |
封装/箱体 | PDIP-8 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 70 C |
最小工作温度 | 0 C |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 0.0014 S |
汲极/源极击穿电压 | 10 V |
漏极连续电流 | 12 mA |
漏源极电压(Vdss) | 10.6V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | - |
系列 | ALD110900A |
通道模式 | Depletion |
配置 | Dual |