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PSMN4R0-30YL,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN4R0-30YL,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN4R0-30YL,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN4R0-30YL,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 69W(Tc) LFPAK56,Power-SO8。您可以下载PSMN4R0-30YL,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN4R0-30YL,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN4R0-30YL,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET,采用 LFPAK56(Power-SO8)封装,具有超低导通电阻(RDS(on) 典型值仅 4.0 mΩ @ VGS = 10 V,4.8 mΩ @ 4.5 V)、高电流能力(ID 高达 120 A)及优异的热性能。 其主要应用场景包括: ✅ 高效DC-DC电源转换:广泛用于服务器、通信设备和工业电源中的同步整流、Buck/Boost转换器主开关或续流开关,提升能效与功率密度; ✅ 电机驱动控制:适用于无刷直流(BLDC)电机、步进电机及风扇驱动等中高功率场合,支持PWM高频开关(可达数百kHz),响应快、损耗低; ✅ 负载开关与电源管理:在笔记本电脑、工控主板、嵌入式系统中用作电池保护、热插拔、电源轨切换等,具备强抗雪崩能力和快速关断特性; ✅ LED照明驱动:用于大功率LED恒流驱动电路中的开关元件,支持调光控制并降低温升; ✅ 汽车电子辅助系统:符合AEC-Q101可靠性标准(该型号为工业级,但同系列有车规版本),可用于车载USB充电模块、车身控制单元(BCM)中的负载开关等非安全关键应用。 其逻辑电平驱动特性(4.5 V即可充分导通)便于与MCU、DSP或门极驱动IC直接连接,简化设计,降低系统成本。综合来看,该器件适用于对效率、散热、尺寸和可靠性要求较高的中高功率开关场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAKMOSFET <=30V N CH TRENCHFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN4R0-30YL,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN4R0-30YL,115 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 69 W |
| Pd-功率耗散 | 69 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 51 ns |
| 下降时间 | 18 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.15V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2090pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 36.6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4 毫欧 @ 15A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK56, Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-4683-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 44 ns |
| 功率-最大值 | 69W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-100,SOT-669,4-LFPAK |
| 封装/箱体 | LFPAK-4 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/LFPAK.html |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Triple Source |
| 零件号别名 | PSMN4R0-30YL T/R |