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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF1010ZSTRRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF1010ZSTRRPBF价格参考。International RectifierIRF1010ZSTRRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF1010ZSTRRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF1010ZSTRRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的型号为IRF1010ZSTRRPBF的晶体管属于FET(场效应晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)中的单个器件。以下是该型号MOSFET的主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS) - IRF1010ZSTRRPBF具有低导通电阻(Rds(on))和快速开关速度,非常适合用于开关电源中的功率开关。例如,在DC-DC转换器、AC-DC适配器或充电器中,可以高效地控制电压和电流。 2. 电机驱动 - 该MOSFET可用于驱动小型直流电机或步进电机。其低导通电阻特性可减少功率损耗,提高效率,同时支持高速开关以适应不同的电机控制需求。 3. 逆变器 - 在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中,IRF1010ZSTRRPBF可以用作功率级开关元件,将直流电转换为交流电,实现高效的能量转换。 4. 负载切换 - 该MOSFET适用于各种负载切换应用,例如汽车电子系统中的负载切换、工业自动化设备中的信号隔离与切换等。其高可靠性和稳定性确保了系统的正常运行。 5. LED驱动 - 在大功率LED照明应用中,IRF1010ZSTRRPBF可以作为开关元件,用于恒流或恒压驱动电路,提供稳定的电流输出以确保LED的亮度和寿命。 6. 电池管理系统(BMS) - 该MOSFET可用于电池组的充放电管理,包括过流保护、短路保护以及电池均衡等功能。其低导通电阻有助于降低功耗并提高系统效率。 7. 音频放大器 - 在D类音频放大器中,IRF1010ZSTRRPBF可用作输出级开关,提供高效且低失真的音频信号放大。 总结 IRF1010ZSTRRPBF是一款高性能的N沟道增强型MOSFET,广泛应用于需要高效功率转换、低功耗和快速开关的场景。其典型应用场景包括开关电源、电机驱动、逆变器、负载切换、LED驱动、电池管理系统以及音频放大器等领域。这些应用充分利用了其低导通电阻、高开关速度和高可靠性等优势。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRF1010ZSTRRPBF |
PCN组件/产地 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2840pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 95nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7.5 毫欧 @ 75A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
供应商器件封装 | D2PAK |
功率-最大值 | 140W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
漏源极电压(Vdss) | 55V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 75A (Tc) |