Datasheet下载- 型号： PSMN3R0-60PS,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN3R0-60PS,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN3R0-60PS,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN3R0-60PS,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN3R0-60PS,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN3R0-60PS,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN3R0-60PS,127 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用 TO-220AB 封装，具有超低导通电阻（Rds(on) 典型值仅 3.0 mΩ @ Vgs = 10 V）、60 V 耐压及高电流能力（ID ≤ 120 A），适用于高效率、大电流开关场景。 典型应用场景包括： ✅ 工业电源与服务器电源：用作同步整流器或主功率开关，提升 DC-DC 转换效率（如 48V 输入 POL 模块）； ✅ 电动工具与电池供电设备：驱动无刷直流（BLDC）电机的 H 桥下管，凭借低 Rds(on) 减少发热，延长电池续航； ✅ UPS 不间断电源与光伏逆变器：在 DC/AC 或 DC/DC 升压级中承担高频硬开关任务，支持高效能量双向流动； ✅ 汽车电子辅助系统：符合 AEC-Q101 可靠性标准（注：该型号为工业级，非车规版；若用于车载需确认具体批次认证），可用于车身控制模块中的大电流负载开关（如座椅加热、风扇驱动）； ✅ LED 大功率照明驱动：作为恒流拓扑中的主开关器件，实现精准调光与高能效。 其逻辑电平兼容性（Vgs(th) 低至 1–2.5 V）便于直接由 MCU 或驱动 IC 控制，无需额外电平转换；封装具备良好散热性，适合紧凑型设计。需注意实际应用中应合理设计栅极驱动（避免振荡）、PCB 散热铜箔及过流/温度保护机制。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 100A TO220ABMOSFET N-ch 60V 3.0 mOhm MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN3R0-60PS,127- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN3R0-60PS,127 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 306 W |
| Pd-功率耗散 | 306 W |
| Qg-GateCharge | 130 nC |
| Qg-栅极电荷 | 130 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 54 V, 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 54 V, 60 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V to 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V to 4 V |
| 上升时间 | 26 ns |
| 下降时间 | 22 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8079pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 130nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-4974-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 77 ns |
| 功率-最大值 | 306W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tc） |
| 配置 | Single |
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