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  • 型号: AOWF12N60
  • 制造商: ALPHA&OMEGA
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供AOWF12N60由ALPHA&OMEGA设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AOWF12N60价格参考。ALPHA&OMEGAAOWF12N60封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载AOWF12N60参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有AOWF12N60 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Alpha & Omega Semiconductor Inc. 的 AOWF12N60 是一款N沟道增强型MOSFET,主要应用于中高功率的电力电子系统中。其最大漏源电压(VDS)为600V,连续漏极电流(ID)可达12A,具备较低的导通电阻和快速开关特性,适合高频开关应用。

AOWF12N60广泛应用于以下场景:

1. 电源适配器与充电器:用于笔记本电脑、手机等电子设备的开关电源中,提高转换效率并减小体积。

2. 工业电源与DC-DC转换器:在工业控制系统中作为功率开关,实现高效的电能转换。

3. 照明驱动:如LED路灯、商业照明等高亮度LED驱动电路中,提供稳定可靠的功率控制。

4. 电机驱动:用于小功率电机控制,如家电中的风扇、泵类设备等。

5. 逆变器系统:适用于太阳能逆变器、UPS不间断电源等新能源相关设备中的功率转换模块。

该MOSFET采用高雪崩耐量设计,具备良好的热稳定性和可靠性,适用于对效率和散热有要求的高密度电源设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 600V 12A TO262F

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Alpha & Omega Semiconductor Inc

数据手册

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产品图片

产品型号

AOWF12N60

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2100pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

50nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

550 毫欧 @ 6A,10V

供应商器件封装

*

功率-最大值

28W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

标准包装

1,000

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

12A (Tc)

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