Datasheet下载- 型号： PMPB15XN,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMPB15XN,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMPB15XN,115价格参考。NXP SemiconductorsPMPB15XN,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMPB15XN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMPB15XN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMPB15XN,115 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的一款P沟道增强型MOSFET，采用小型SOT-23封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 45 mΩ @ VGS = –4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 4.8 nC）和高开关效率等特点。其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的负载开关与电池保护电路，用于实现反向电流阻断、低功耗待机控制及过流防护； 2. DC-DC转换器同步整流：在降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）拓扑中作为同步整流管，提升转换效率并减小发热； 3. LED驱动与背光控制：用于中小功率LED的调光/开关控制，支持PWM高频驱动； 4. 工业与IoT传感器节点：在低功耗传感模块中作电源使能开关（Enable Switch），实现微安级关断电流（IDSS < 100 nA），延长电池寿命； 5. H桥驱动局部控制：配合N沟道MOSFET构成半桥，用于微型电机（如振动马达、小风扇）的正反转或启停控制。 该器件工作电压范围宽（–20 V VDS），ESD防护能力强（HBM ≥ 2 kV），且符合RoHS与无卤素要求，适用于空间受限、强调能效与可靠性的消费类及工业嵌入式系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 7.3A 6DFN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PMPB15XN,115 |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1240pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20.2nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 21 毫欧 @ 7.3A， 4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-DFN2020MD （2x2） |
| 其它名称 | 568-10452-2 |
| 功率-最大值 | 1.7W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/low-rdson-mosfets-in-ultra-small-packages/3946 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.3A （Ta） |
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