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Datasheet下载- 型号： IRFHM8329TRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFHM8329TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFHM8329TRPBF价格参考。International RectifierIRFHM8329TRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFHM8329TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFHM8329TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRFHM8329TRPBF的晶体管，属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别中的单管MOSFET。该器件广泛应用于对效率和功率密度要求较高的电子系统中。 该MOSFET适用于汽车电子、工业控制、电源管理、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场景。其高效率、快速开关特性和低导通电阻（Rds(on)）使其在高频率开关应用中表现优异，有助于降低能量损耗，提高系统整体能效。 在汽车应用中，IRFHM8329TRPBF可用于车载充电系统、电池管理系统（BMS）以及电动助力转向系统等，满足汽车环境对可靠性和耐久性的严苛要求。在工业领域，该器件适用于自动化设备、伺服电机控制及电源供应器设计。 此外，该MOSFET采用表面贴装封装（如PowerPAK），便于自动化生产和散热管理，适用于紧凑型高功率密度设计。 总之，IRFHM8329TRPBF是一款高性能MOSFET，适用于需要高效能、高可靠性和空间优化的多种功率电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 16A PQFNMOSFET MOSFET, 30V, 25A, 4 3nC Qg, PQFN 3.3x3.3 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 16 A |
| Id-连续漏极电流 | 16 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFHM8329TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFHM8329TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.6 W |
| Pd-功率耗散 | 2.6 W |
| Qg-GateCharge | 26 nC |
| Qg-栅极电荷 | 26 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6.8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6.8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.7 V |
| 上升时间 | 74 ns |
| 下降时间 | 14 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1710pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.1 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PQFN（3x3） |
| 其它名称 | IRFHM8329TRPBFDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 14 ns |
| 功率-最大值 | 2.6W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 封装/箱体 | PQFN-8 3X3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 56 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 16A （Ta）， 57A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
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